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主要研究方向为第三代半导体材料与发光器件（氧化镓材料、氮化镓系紫外、蓝光、绿光及黄光LED，新型氮化硼半导体材料）、氮化镓高电子迁移率电力电子器件（HEMT器件及传感器件）及耐高温、耐辐照探测器件（粒子探测器件、X射线探测器等）